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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
64
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2197
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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