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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3093
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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