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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
44
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2191
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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