RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
69
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
49
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2277
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link