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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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仕様
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考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
69
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
49
読み出し速度、GB/s
4,217.2
9.8
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
8.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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