RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3434
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link