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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2561
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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