RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
3832
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link