RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3832
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link