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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2201
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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