RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2201
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link