Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 34
    Wokół strony 21% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 14.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 14.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2756 left arrow 2201
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania