RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3876
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link