RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2236
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link