RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2236
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link