RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2236
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link