RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link