RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比較する
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
総合得点
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
43
周辺 -87% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
11.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
23
読み出し速度、GB/s
11.4
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.7
7.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1823
2236
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link