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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
27
周辺 -17% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
23
読み出し速度、GB/s
16.7
14.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
7.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2236
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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