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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
39
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
3000
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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