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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
3000
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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