Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Puntuación global
star star star star star
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 28
    En 11% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 14.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.3 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.2 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 11.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2307 left arrow 2436
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones