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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
総合得点
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
総合得点
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
14.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2307
2436
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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