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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2348
1897
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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