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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
13.2
16.0
写入速度,GB/s
8.3
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
1897
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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