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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2021
3075
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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