RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
66
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
66
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2021
1877
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link