RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kllisre 0000 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Kllisre 0000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 0000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
92
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
49
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2220
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kllisre 0000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link