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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2021
2848
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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