RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2021
2848
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link