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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2106
3693
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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