RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
3693
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link