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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 38
    En -27% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2106 left arrow 2234

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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