Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Puntuación global

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.9 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.7 8.6

Valor medio en las pruebas

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 38

En -19% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

38 32
Velocidad de lectura, GB/s

13.9 9.8
Velocidad de escritura, GB/s

8.7 8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 17000

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2106 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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