Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Puntuación global
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 38
    En -23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.5 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 10600
    En 2.42 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 15.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2106 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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