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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Compara
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Puntuación global
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2453
3729
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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