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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2453
2767
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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