RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2453
2767
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link