RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2767
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link