RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2767
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link