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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Puntuación global
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Razones a tener en cuenta
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 39
    En -22% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    39 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 11.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2453 left arrow 2292

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