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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2479
3909
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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