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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
14.3
19.6
写入速度,GB/s
9.4
16.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
3909
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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