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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
36
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
36
Velocidad de lectura, GB/s
17.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3077
2581
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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