RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
65
En 74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
65
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
1921
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link