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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
比較する
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
65
周辺 74% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.8
17.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
8.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
17
65
読み出し速度、GB/s
22.8
17.5
書き込み速度、GB/秒
15.4
8.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3391
1921
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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