RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
27
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2426
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link