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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
14.8
写入速度,GB/s
15.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2426
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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