RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
34
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
34
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3047
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link