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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
16.1
写入速度,GB/s
15.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3047
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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