RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
22.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
27
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
22.7
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3861
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link